氮化硼制品-半导体扩散源氮化硼垫片-氮化硼P型片状扩散源

化学组成BN%：99%    其他成分：no     密度：＞2.15g/cm³        里氏硬度：450HL

抗弯强度：95Mpa      热膨胀系数（25℃-1200℃）：1~2（10^-6/K)  

热导率（常温）：35W/mk      最高使用温度：空气900℃、真空1600℃、惰性气氛1800℃

常温电阻率：＞10¹⁴Ω.cm

产品优势

● 采用国际先进工艺高温氮化硼原料，确保材料纯度及耐高温性能。

● 材料致密度高，抗氧化性能好，导热性好，加工精度高，尤其适用于半导体、微电子等设备配件的用途。

● 具备高耐热性、低热膨胀系数、良好的抗热震性能以及良好的耐腐蚀性。

典型应用

● 应用于半导体行业的扩散源、离子注入设备备件等。

● MOCVD绝缘板，半导体单晶及III－V族化合物合成用的坩埚、基座等。

● 应用于分子束外延，原位合成GaAs 、InP 、GaP单晶的LEC系列坩埚等。

专业服务

● 免费为客户提供样品，为您提供满意的质量和服务。

● 接受试销订单，可以寄送单个样品，并提供大宗订单折扣。

● 设备先进，加工精度高，尺寸规格多，可按照客户要求定制。

● 100%的产品保证，及时跟进客户的反馈意见；海外订单,如果有任何质量问题,请提供照片显示问题通过电子邮件，我们将根据实际情况提供替代品。

我司根据客户要求，提供各种规格氮化硼制品件、精密件（严格按客户图纸或来样加工）。欢迎来电详询！  联系电话：0573-89104988   15721595983（宋经理）